NAND 闪存多颗粒、多通道密集布线场景下，通道间高速串扰是导致读写波动、误码升高、速度受限、量产良率低的核心瓶颈。单纯真机实测只能看到故障现象，无法预判布线风险；单纯仿真无法贴合真实硬件工况。淼森波采用 SI 仿真 + 真机实测结合的双验证模式，前期通过信道仿真预判走线串扰风险、优化布局方案，后期通过真机实测量化串扰强度、验证优化效果。定位近端远端串扰超标通道、走线布局缺陷、屏蔽不足、接地不良等问题，输出走线间距优化、地平面隔离、接地过孔加密、差分屏蔽整改方案，从设计与实测双层解决 NAND 高速串扰难题，大幅提升闪存信号完整性与读写稳定性。
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